随着技术的发展，终端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高。特别是随着的即将到来，也进一步推动了以氮化镓（GaN）第三代半导体材料的快速发展。

　　什么是GaN？

　　GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。

GaN器件逐步步入成熟阶段

　　氮化镓技术可以追溯到1970年代，美国无线电公司（RCA）开发了一种氮化镓工艺来制造LED。自上世纪90年代开始，基于GaN的LED大放异彩，目前已是LED的主流。现在市场上销售的很多LED就是使用蓝宝石衬底的氮化镓技术。

　　除了LED，氮化镓也被使用到了功率半导体与射频器件上。基于氮化镓的功率芯片正在市场站稳脚跟。2010年，第一个GaN功率器件由IR投入市场，2014年以后，600V GaN HEMT已经成为GaN器件主流。2014年，行业首次在8英寸SiC（碳化硅）上生长GaN器件。

GaN在电力电子领域与微波射频领域均有优势

　　①、GaN在电力电子领域：高效率、低损耗与高频率

　　高转换效率：GaN的禁带宽度是Si的3倍，击穿电场是Si的10倍。因此，同样额定电压的GaN开关功率器件的导通电阻比Si器件低3个数量级，大大降低了开关的导通损耗。

　　低导通损耗：GaN的禁带宽度是Si的3倍，击穿电场是Si的10倍。因此，同样额定电压的GaN开关功率器件的导通电阻比Si器件低3个数量级，大大降低了开关的导通损耗。

Si功率器件开关速度慢，能量损耗大

GaN开关速度快，可大幅度提升效率

高工作频率：GaN开关器件寄生电容小，工作效率可以比Si器件提升至少20倍，大大减小了电路中储能原件如电容、电感的体积，从而成倍地减少设备体积，减少铜等贵重原材料的消耗。

　　②、GaN在微波射频领域：高效率、大带宽与高功率

　　更高功率：GaN上的电子具有高饱和速度（在非常高的电场下的电子速度）。结合大电荷能力，这意味着GaN器件可以提供更高的电流密度。RF功率输出是电压和电流摆动的乘积，因此更高的电压和电流密度可以在实际尺寸的晶体管中产生更高的RF功率。在4GHz以上频段，可以输出比GaAs高得多的频率，特别适合雷达、卫星通信、中继通信等领域。

　　更高效率：降低功耗，节省电能，降低散热成本，降低总运行成本。

　　更大的带宽：提高信息携带量，用更少的器件实现多频率覆盖，降低客户产品成本。也适用于扩频通信、电子对抗等领域。

另外值得一提的是，GaN－on－SiC器件具有出色的热性能，这主要归功于SiC的高导热性。实际上，这意味着GaN－on－SiC器件在耗散相同功率时不会像GaAs或Si器件那样热。“较冷”设备意味着更可靠的设备。

　　4、与第二代半导体材料GaAs相比优势明显

　　GaN器件的功率密度是砷化镓（GaAs）器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能够提供更宽的带宽，更高的放大器增益和更高的效率，这是由于器件外围更小。

　　GaN场效应晶体管（FET）器件的工作电压可以比同类GaAs器件高五倍。由于GaN FET器件可以在更高的电压下工作，因此设计人员可以更轻松地在窄带放大器设计上实现阻抗匹配。阻抗匹配是以这样的方式设计电负载的输入阻抗的实践，其最大化从设备到负载的功率传输。

　　GaN FET器件的电流是GaAs FET器件的两倍。由于GaN FET器件可提供的电流是GaAs FET器件的两倍，因此GaN FET器件具有更高的带宽能力。大部分的半导体器件对于温度的变化都是非常敏感的，为了保证可靠性，半导体的温度变化必须被控制在一定范围内。热管理对于RF系统来说尤其重要，因为它们本身能量损耗就比较高，会带来比较严重的散热问题。GaN在保持低温方面有其独特优势，另外即使在温度较高的情况下，相比于硅其性能影响较小。例如100万小时失效时间中位数MTTF显示，GaN比GaAs的工作温度可以高50摄氏度。

GaAs与GaN的可靠性比较

与其他半导体（如Si和GaAs）相比，GaN是一种相对较新的技术，但它已成为高射频，高耗电应用的首选技术，如长距离或高端功率传输信号所需的应用（如雷达，基站收发信台［BTS］，卫星通信，电子战［EW］等）。

　　5、随着成本降低，GaN市场空间巨大

　　随着成本降低，GaN市场空间巨大。GaN与SiC、Si材料各有其优势领域，但是也有重叠的地方。GaN材料电子饱和漂移速率最高，适合高频率应用场景，但是在高压高功率场景不如SiC；随着成本的下降，GaN有望在中低功率领域替代二极管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件。以电压来分，0～300V是Si材料占据优势，600V以上是SiC占据优势，300V～600V之间则是GaN材料的优势领域。